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臺(tái)積電劉德音：3nm制程進(jìn)度甚至超預(yù)期

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音日前在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 線(xiàn)上專(zhuān)題演講時(shí)表示，3nm按計(jì)劃時(shí)程發(fā)展，進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前，有信心看到未來(lái)節(jié)點(diǎn)將會(huì)如期推進(jìn)、量產(chǎn)。 
 
MoneyDJ報(bào)道稱(chēng)，劉德音指出，臺(tái)積電 3nm仍采用FinFET架構(gòu)，2nm后將轉(zhuǎn)向GAA架構(gòu)，主要是量產(chǎn)技術(shù)考量，可較 FinFET提供更多靜電控制。 
 
展望未來(lái)，劉德音表示，3D芯片堆疊會(huì)是重點(diǎn)，而通過(guò)臺(tái)積電的SoIC(system on IC)、低溫鍵合(bonding)制程，可實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊。 
 
此前業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)臺(tái)積電計(jì)劃在2021年投入超150億美元推進(jìn)公司的3nm工藝技術(shù)。根據(jù)臺(tái)積電的說(shuō)法，與5nm工藝相比，3nm工藝可以將晶體管密度提高70%，或提高15%的性能，降低30%的功耗。